英特爾45奈米晶片 今年底亮相

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「更高的製程技術，意味著更少的耗電量，」英特爾亞太區伺服器平台事業群行銷部協理劉景慈在今（10）日對媒體的簡報會中表示。他表示用兩種全新材料製造的45奈米電晶體絕緣層（insulating wall）和開關閘極（switching gate），令下一代的英特爾Core 2 Duo、Core 2 Quad和Xeon多核心處理器系列，相較於現有的65奈米技術，電晶體密度提升將近兩倍，開關運作時的耗電量減少將近30%，效能提升至少20%。

英特爾今年底面市的45奈米晶片代號為Penryn。劉景慈表示，除了由於製程的提升，令晶片可以塞進更多的電晶體——雙核心處理器內建超過四億個、四核心超過八億個以外，Penryn也引進了進階電源管理功能，稱之為「深度省電技術」(Deep Power Down Technology)，可減少處理器待機耗電量，解決電晶體漏電問題。「動態加速」(Dynamic Acceleration)技術則可在一個核心不運作時，運用所空出的處理能力來提升另一個核心的運算效能。

另外，其亦含有高達12MB的快取記憶體和50種新的Intel SSE4指令，可擴充執行多媒體和高效能運算時的效能。

依照慣例，英特爾並未公佈45奈米晶片的市場目標——是否能再力挫競爭對手AMD近年來急起直追的態勢。但是65奈米晶片Xeon Dempsey和Xeon Woodcrest的成功，不啻給英特爾不小的信心。根據英特爾提供的資料，自從去年第一季正式推出65奈米晶片後迄今，該公司已經出貨七千萬個65奈米晶片。

今年底以前，英特爾將透過兩座45奈米晶圓廠進行量產，到2008下半年則預計達到四座，處理器產能可達數千萬顆。

「英特爾相信競爭對手跟不上我們的速度，」劉景慈說。根據AMD的規劃，要等到2008年，該公司首款45奈米晶片Opteron（代號為Shanghai）才會亮相。

製程技術兩年翻新一次

Penryn僅是英特爾首款45奈米晶片力作，更大的革新是在明年同樣也採用45奈米製程生產的Nehalem晶片。其和仍然沿用Core微架構的Penryn最大的不同，在於採用了一個新的微架構。外電報導，Nehalem將重新引進超線緒（hyperthreading）技術，令基於Nehalem架構的晶片將整合有1到8個核心，每個核心可以執行二個獨立的線緒。

另外，Nehalem將整合記憶體控制器，在處理器和記憶體之間建立一個快速通道。有趣的是，這正是其競爭對手AMD 多年來歌功頌德Opteron勝於Xeon的關鍵技術。

至2009年，英特爾將邁進32奈米技術，生產Westmere；2010年時，又一新的微架構誕生，晶片代號為Gesher。2011年則是22奈米製程技術。

英特爾尚未對後續晶片技術做太多揭露。不過劉景慈指出，在推出Westmere時，英特爾將採用Tri-Gate（三閘極）電晶體技術。好處是可以使電晶體開關的切換速度更快、進一步減少漏電（Leakage）。